大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中反復(fù)使用的濺射工藝屬于物理氣相沉積(PVD)技術(shù)，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。利用離子源產(chǎn)生的離子在高真空中加速聚集，形成高速離子束流，轟擊固體表面，離子與固體表面原子交換動(dòng)能，使固體表面的原子離開(kāi)固體，沉積在基礎(chǔ)表面。以下是濺射靶材工作原理、類(lèi)型、產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)、競(jìng)爭(zhēng)格局等信息的詳細(xì)介紹。
一般來(lái)說(shuō)，濺射目標(biāo)材料主要由目標(biāo)坯料、背板等部件組成，其中目標(biāo)坯料是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于飛濺目標(biāo)材料的核心部分，在飛濺涂層過(guò)程中，目標(biāo)坯料被離子沖擊后，其表面原子飛濺并沉積在基板上，形成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，飛濺目標(biāo)材料需要安裝在特殊的平臺(tái)上完成飛濺過(guò)程，平臺(tái)內(nèi)部是高壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬飛濺目標(biāo)坯料需要通過(guò)不同的焊接工藝與背板連接，背板主要起固定飛濺目標(biāo)材料的作用，需要具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。
濺射靶材的種類(lèi)較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。濺射靶材按不同的分類(lèi)方法可分為不同的類(lèi)別，主要分類(lèi)如下：
按形狀分類(lèi)：長(zhǎng)靶、方靶、圓靶；
按化學(xué)成分分類(lèi)：金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）；
按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)：半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。
在濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度和內(nèi)部微觀(guān)結(jié)構(gòu)設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能生產(chǎn)出符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求高，價(jià)格與半導(dǎo)體芯片相比，飛機(jī)顯示器和太陽(yáng)能電池對(duì)濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低，但隨著靶材尺寸的增加，對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率和平整度提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，濺射機(jī)臺(tái)專(zhuān)用性強(qiáng)，對(duì)濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。
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