鉭靶材與其原材料具有相同的特性。鉭是一種稀有、堅硬、藍灰色、具有高度耐腐蝕性的難熔金屬之一。鉭的熔點為2980℃，密度為16.68g/cm3。鉭具有熔點高、蒸汽壓低、冷加工性能好、化學穩定性高、抗液態金屬腐蝕能力強、表面氧化膜介電常數大等一系列優異性能，在電子、冶金、鋼鐵、化工、硬質合金、原子能、超導技術、汽車電子、航空航天、醫療衛生和科學研究等高新技術領域有重要應用。
鉭靶材特征
鉭靶材形狀：平面靶 旋轉靶 異型定制
鉭靶材純度：3N5, 4N
鉭靶材尺寸：按圖紙加工或其他者定制
我們還可以提供鉭絲、鉭粒、鉭片、鉭粉等
鉭靶材制備工藝
采用鈉熱還原法生產的鉭粉,鉭粉的松裝密度為1.8-2.6(g/cm3) ,粒徑為2-3微米。將鉭粉在乳膠包套中進行冷等靜壓成型，冷等靜壓成型的壓力大于200MPa，保壓時間大于20min，得到鉭坯。
將鉭坯進行燒結，燒結的真空度大于1*10-2MPa，溫度大于2400°C，保溫時間大于1.5h。燒結得到的鉭坯的密度15.4g/cm3，純度99.99%。
燒結得到的鉭坯進行軋制，軋制的總加工率為30%-60%。將后進行熱處理，熱處理的溫度為鉭坯熔點的25%-45%，終得到鉭靶材。
該制備方法是通過粉末冶金的方法制得了鉭靶材加工坯料，其優點是內部組織細小均勻，并得到了無織構的內部組織；再通過壓力加工工藝與熱處理工藝，獲得了細小且均勻一致的內部組織，得到了滿足高端濺射機臺使用的鉭靶材要求。
鉭靶材應用
將其與銅背靶進行焊接，然后進行半導體或光學濺射，將鉭原子以氧化物形成淀積在基板材料上，實現濺射鍍膜；鉭靶材主要應用于半導體鍍膜、光學鍍膜等行業。在半導體工業中，目前主要使用金屬(Ta)通過物理氣相沉積法(PVD)鍍膜并形成阻擋層作為靶材。
鉭的其它應用
電容器
每年消耗的鉭約有一半用于電子工業，主要用作電容器的粉末和電線。鉭電容器在電信、數據存儲和植入式醫療設備等空間敏感型高端應用中受到青睞。
半導體
使用物理氣相沉積（PVD）工藝，將鉭濺射靶材“濺射”到半導體襯底上，形成薄膜擴散屏障以保護銅互連。鉭濺射靶材用于各種其他產品，包括磁性存儲介質、噴墨打印機頭和平板顯示器。
發動機渦輪葉片
該金屬的高熔點和耐腐蝕性使其適用于合金化應用。鉭用于鎳基高溫合金，其主要應用是飛機發動機和陸基燃氣輪機的渦輪葉片。
化學加工設備
鉭的高耐腐蝕性和耐高溫性使該金屬成為化學和制藥行業中容器、管道、閥門和熱交換器襯里的理想結構材料。
鉭靶材合金類型
除鉭靶材外，我們還可以提供鉭硅合金、鉭鋁合金、鉭鎢合金、鎳鉭合金、鈷鋯鉭合金、氮化鉭 、碳化鉭、硼化鉭、五氧化二鉭等濺射靶材。
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